Analysen fur Chalkogenid-Dunnschicht-Solarzellen: Theorie by Andreas Stadler

By Andreas Stadler

Andreas Stadler entwickelt anhand ausgesuchter, verlässlicher Modelle (Swanepoel, Quantentheorie) neue, näherungsfreie und umfassende Modelle für die optoelektrische examine und Simulation von Dünnschichten und Solarzellen. Der systematische Zusammenhang von Messergebnissen gesputterter TCO- und Sulfid-Schichten sowie gänzlich in situ gesputterter Dünnschicht-Solarzellen aus diesen Materialien wird entlang der verwendeten Prozessparameter aufgezeigt.

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Hierzu kön nen mit eine r Integrationskugel sow ohl die Reflexion R, als auch die Tra nsm ission T, der Schicht gem essen werd en. Aus den Meßfehlern dRs, dTs lässt sieh mit Hilfe der Gaußsehen Fehlerfortpflanzung der Fehler der Absorptio n dAs bestimmen. B. 50) A SSch = 1- (R SSch + T SSch). Auch hier könn en die Reflexio n RSS

18) n = ~ k n = k nSch k2 k 2 Sch ~ k2 k 2 e j j 'l/ K S + K D j n i e' n 'l/K S+K D E {S, D} , wobei mit GI. 50) und GI. 19) Hierin wurde für nichtmagnetis che Materia lien GI. 18) zu ber echnen, benötigt ~Sch man = ~e die Dielektrizitätskonstante Ee, der Induktionskonstante ~o = ~o verwendet. Um nun n, und nD über Beträge der Wellen länge Ae, der des Mediums sowie der Leitfähigkeit (JSch der Schicht. nSch/ ne kann aus GI. 9) bis GI. 16) entnommen werden. Über das Snelliussc he Gesetz GI. Sch (in) der Schicht über GI.

1 für a) einen 2 Zoll n·dotierten Silizium Wafer und b) ein Bor·Silikat·Glas. Zu sehen sind die e"" kten Werte nach GI. 11) sowie die Näherungen nach GI . 12). GI. 15) (transparent Schichten) und GI. 16) (opake Schichten). R und Imaginörteile n" u der Brechungsindizes n

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